Das Bonden dient zum Verbinden von Siliziumwafern und ist in der Mikrosystem- und Halbleitertechnik häufig genutztes Verfahren, aber infolge ständig steigender technischer Anforderungen ist das Handling von großflächigen und ultradünnen Wafern erschwert. Das temporäre Waferbonden bietet die Möglichkeit, den Prozesswafer für notwendige Bearbeitungsschritte auf einem Trägerwafer mittels einer Zwischenschicht zu fixieren und diesen nach Abschluss der Prozessschritte wieder zu lösen. In der vorliege ...