Aluminium-Gallium-Nitrid-basierte Photodioden gewährleisten aufgrund der zugänglichen Bandlückenenergien von E(tief)Gap = 3.42 ... 6.02 eV Absorption im UV-C-Spektralbereich und ermöglichen über Band-zu-Band-Absorption die erforderliche spektrale Sensitivität im Betrieb ohne Vorspannung. Detektoren auf Al(tief)xGa(tief)1-xN-Basis werden mit x(tief)Al 0.60 in p-i-n- sowie Schottky-Struktur epitaxiert und in Mesadioden prozessiert. Der Einfluss der Substratqualität wird durch die Verwendung von A ...