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Diebold, SebastianTransistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-FrequenzbereichDissertationsschrift
Kartoniert, KIT Scientific Publishing (2014)
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Ziel ist der Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den Frequenzbereich von 200 bis über 250 GHz. Dafür sind verlässliche und flexible Leitungs- und Transistormodelle notwendig. Sie werden erstellt und ihre Genauigkeit wird bis 325 GHz bestätigt. Es wird ein Verstärkerkonzept erarbeitet, das maßgeschneidert für den Frequenzbereich und die MMIC-Technologie ist. Es nutzt einen neuartigen Koppler, der kompakte Verstärker mit hoher Bandbreite und Ausgangsleistung ermöglicht.< ...

DETAILS

Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich

Dissertationsschrift

Diebold, Sebastian

Kartoniert, XIII, 249 S.

graph. Darst.

Sprache: Deutsch

21 cm

KIT Scientific Publishing (2014)

Gewicht: 410 g

ISBN-13: 978-3-7315-0161-9

Titelnr.: 53432564

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